我们非常重视您的个人隐私，当您访问我们的网站时，请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问《隐私政策》
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
- 高压侧电压范围：+/-700V；
- 高低边独立 UVLO 保护功能；
- +2/-4A 驱动电流能力;
- 内置LDO，使驱动电压更稳定可靠;
- 低于 60ns 传播延时，低于 10ns 高低边延时匹配;
- +5/-5V 逻辑地偏置;
- 150V/ns 的高压侧 dV/dt 抗干扰能力;
- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃
- 封装形式: LGA (4*4mm)
- 驱动电压输出NSD2621A: 6V/ NSD2621B: 5.5V/ NSD2621C: 5V
- 半桥、全桥、LLC电源拓扑
- 适配器高密电源
- 太阳能、电机驱动及新能源领域
类别
名称
类别：
应用笔记
名称：
600VGaN半桥驱动器NSD2621在电源中的应用指导
类别：
技术文章
名称：
纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案
类别：
User guide
名称：
NSD2621x Demo Board User Guide
>
>
>
>
>
id="pcHeadSearch">
class="g_syworldbtmimg1">
class="g_syworldbtmimg2">
>
>
>
>
>